ノリタケ、次世代高耐熱パワー半導体向け金属セラミック基板を開発

2014年6月7日(土曜日)
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　NEDOプロジェクトにおいて、ファインセラミックス技術研究組合の組合員であるノリタケカンパニーリミテドは、-40℃から250℃の温度範囲で1000回のサイクルに耐える耐熱サイクル性を実現した金属セラミック基板を開発した。

　金属セラミック基板は、次世代パワー半導体材料として期待される炭化ケイ素（SiC）を電力変換器に組み込む際の土台となる部品。SiC半導体の特長を活かすため、従来品を上回る耐熱性を実現し、高温環境・大電流に対応できることが求められている。

　NEDOとファインセラミックス技術研究組合は、実用化に向けて、さらに耐熱サイクル性を向上させた基板技術開発を進める。また、同技術を実装技術に展開し、高耐熱SiCモジュールの実証を急ぐという。

窒化ケイ素をベースに開発した金属セラミック基板窒化ケイ素をベースに開発した金属セラミック基板