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イグス、工具不要で組立時間短縮のケーブル保護管向けに新型内部仕切りを開発kat 2021年04日30日(金) in

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　イグスは、フリースパン走行およびスライド走行でケーブルを安全にガイドするケーブル保護管「エナジーチェーンE4Qシリーズ」向けに、新しい内部仕切りを開発した。

 

新しい内部仕切りを採用した「エナジーチェーンE4Qシリーズ」

 

　エナジーチェーンE4Qシリーズは、独特な設計により重量を軽減、工具不要で開閉可能なロック機能付きのクロスバーにより組立時間を短縮するが、今回より迅速にケーブルを収納できるよう、汎用セパレーターとロック可能な棚板で構成される新しい内部仕切りを開発した。

　新しい内部仕切りを組み立てるには、まずノッチ付きのクロスバーにセパレーターを取り付け、その後セパレーターの溝へ棚板を挿入。棚板は左右、および内周側・外周側のどちらからでも希望の高さへ差し込み可能で、クロスバーを閉じると、セパレーターは自動的にロックされる。

　確実に固定されるため、高加速度がかかる環境などあらゆる用途に対応可能で、内部仕切りの取り付けを変更したい場合は、内周側または外周側のどちらかアクセスしやすい側からクロスバーを開き、サイドのスライダーのロックを解除して棚板を引き抜く。この新しい内部仕切りは、E4Qの四つのサイズに対応しており、複数の幅を用意している。

大同特殊鋼、優れた低反射率と耐久性を併せ持つターゲット材

　大同特殊鋼（ https://www.daido.co.jp/ ）は、優れた低反射率と耐久性を併せ持つ、メタルメッシュ黒化膜用ターゲット材を開発し、「STARMESH®(スターメッシュ)-β1(ベータワン)」として販売を開始した。

　同品を用いて、スパッタリング法で成膜した黒化膜は、銅(Cu)の導電膜の反射率を10～20%に抑えることが可能。また、この黒化膜は車載向け電子部品を想定した環境試験(温度85℃、湿度85%、1000時間)で、導電性や色の変化がないことを確認している。そのため、従来の黒化膜の銅酸化物(CuO)と比べ、厳しい環境での使用や適用製品の長寿命化が実現できるという。

　また、同品はインジウムなどの希少金属を使用しない金属ターゲットであるため、タッチパネルの透明導電膜に使用されるセラミックス系のITO(酸化インジウムスズ)と比べて低コストでの生産が可能となる。さらに、同社の特殊溶解技術により、使用後のターゲット材も容易にリサイクルが可能なため、サステナブルな社会に寄与する。

　同社では、今後の需要拡大が見込まれる、車載用タッチパネルや電子黒板などの大型タッチパネルの分野での拡大を目指す。

ターゲット材外観

 

admin 2021年4月30日 (金曜日)

金沢大学、ダイヤモンドウェハの平坦化における研磨代替技術を開発

　金沢大学ナノマテリアル研究所の德田規夫教授らの研究グループは、ドイツDiamond and Carbon Applicationsのクリストフ E. ネーベルCEOとの共同研究により、ダイヤモンドの研磨代替技術となる機械的ダメージフリー平坦化技術を開発した。

今回開発したダイヤモンドウェハの平坦化技術のメカニズム

　カーボンニュートラル実現のために、半導体デバイスのさらなる省エネ化が必要となり、次世代ワイドバンドギャップ半導体の開発が期待されている。その中でも特に高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、熱伝導率、そして長時間の量子情報保持などの特長を有するダイヤモンドは、究極の半導体デバイス材料として期待されている。しかし、そのデバイスの土台となるダイヤモンドウェハの製造コストや製造プロセスに関する課題がダイヤモンド半導体の応用を大きく制限している。

　2021年2月に、德田教授らの研究グループはニッケル中への炭素固溶によるダイヤモンドエッチングを基軸としたニッケル鋳型を用いたダイヤモンドのインプリント技術を開発した。インプリント技術は、大量生産・低コスト化に有効なプロセス技術であり、ダイヤモンドのデバイス構造作製のための加工プロセスとして期待されている。一方、ダイヤモンド表面の平坦化には一般的に機械研磨が用いられている。しかし、機械研磨では一見平坦な表面が形成できても、ダイヤモンド表面に機械的なダメージが入りデバイス特性が劣化することが知られていた。今回、研究グループが開発した機械的なダメージが入らないインプリント技術を応用し、ダイヤモンドとニッケルを接触させアニールするだけで平坦なニッケル表面を単結晶ダイヤモンドに転写する新しいダイヤモンドの平坦化法を開発した。

開発技術処理前（左）と処理後（右）の単結晶ダイヤモンド表面の走査型電子顕微鏡像

　今後、この研磨代替技術を発展させ、ダイヤモンドウェハの研磨技術の課題であった機械的ダメージフリー・大面積・低コスト化を解決し、ダイヤモンド半導体の実用化に向けて大きく前進することが期待できるという。

開発技術処理前（左）と処理後（右）の単結晶ダイヤモンド基板の写真

 

admin 2021年4月30日 (金曜日)