新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO、 http://www.nedo.go.jp )は、半導体LSIを微細化する原動力である半導体露光技術において、我が国の国際競争力を強化するための事業「次世代半導体微細加工・評価基盤技術の開発」の公募を実施する。
この事業は、極端紫外線露光に必要なマスクブランク(多層膜を積層したマスク基板)やマスクパターン(ブランク表面上の極端紫外光を吸収する層のパターン)の欠陥検査・評価・同定技術、およびレジスト材料の露光性能やアウトガスを含めた材料開発や評価技術など、回路線幅16nm以細に対応可能な技術を確立することを目的としている。
研究開発期間は、採択決定日から平成28年3月まで。研究開発体制は、単独または複数で参加を希望する企業などからの公募を受け付ける。公募期間は平成22年12月下旬から平成23年1月下旬。23年1月上旬に公募説明会を開催する予定。