東芝、48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ

　東芝は、48層積層プロセスを用いた256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット／セル（TLC）3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を開発し、9月からサンプル出荷を開始すると発表した。同品は、SSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなど市場のニーズに合わせて展開していく予定。

　同品は、世界最先端の48層積層プロセスを用い、回路技術やプロセスを最適化することで、現行の2次元NAND型フラッシュメモリと比べて大容量化したほか、書き込み速度を高速化するとともに、書き換え寿命も長寿命化するなどの信頼性も向上している。

　同社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを公表して以来、生産性の最適化を含めて開発してきた。今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していく。

　なお、同品は同社四日市工場の第5棟で製造を開始し、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造する予定。