産総研など、高昇華レートを実現するSiCバルク単結晶成長用粉末原料を開発

昇華法用高昇華型SiC粉末原料　産業技術総合研究所は、太平洋セメントおよび屋久島電工と共同で、パワー半導体用炭化ケイ素(SiC)バルク単結晶の高速成長を可能とする昇華法用高純度SiC粉末原料を開発した。

　今回、SiC原料粉末からの昇華ガスの発生しやすさに着目し、ガスの透過性を利用した空気透過法（ブレーン法）を用いて、現状の製造工程での温度条件を大きく変えずに成長速度を約2倍に向上させることが可能となる粒子形状を有した高純度SiC粉末原料を開発した。

　開発したSiC粉末原料を従来のSiC粉末原料と置き換えるだけでSiCバルク単結晶の高速成長が可能となり、高温工程の時間短縮によるコスト低減・工程の簡素化ができる。また、この粉末の製造法は、従来のSiC研磨材の量産技術であるアチソン法を元に改良したもので、高純度化に加え高い量産性を持つことも特徴である。

　今後は、単結晶製造における実用レベルの応用技術開発やさらなる高品質・高速成長を可能とする技術開発を推し進める予定。また、開発したSiC粉末についてはサンプル出荷を計画中であるという。