サムコ、SiC用ドライエッチング装置を開発

　サムコ（ http://www.samco.co.jp ）は、省エネルギー効果が大きく、グリーンエレクトロニクスの要として期待される次世代パワーデバイスの一つであるSiC（炭化ケイ素）用ドライエッチング装置「RIE-600iP」の販売を開始した。

　SiCはワイドバンドギャップ半導体として高耐圧、優れた耐熱特性を有しているが、加工においてはエッチングレートとエッチング形状の両立が難しく、また、エッチングマスクとの選択比が低いといった問題があった。

　同品は、従来のトルネードコイルに改良を加えた新型トルネードコイルの採用により、高真空下で1kWの高周波を安定印加できるようにしており、さらに、下部電極昇降ユニットや大容量排気システム（1300L/sec）の採用により、高速で均一性よく、広いプロセスウィンドウを実現している。

　対応ウエハーサイズは、最大φ6インチ×1枚。主な応用プロセスは、SiCパワーデバイス製造工程におけるプレナー加工のみならず、微細なトレンチMOS構造やビアホール加工およびこれらのマスクに用いられるSiO₂（酸化ケイ素）マスク加工に用いることができる。このほか、各種センサーの製作や医療分野への応用が拡大しているマイクロ流路などのMEMSプロセス向けの石英基板の高速、高精度エッチングにも対応することができる。